Sunbber (IGBT吸收保护)
技术参数:额定电压Un范围700—3000VDC
                额定容量Cn范围0.0068—8.5μF
                允许误差± 5% , ± 10%
                运行温度范围- 40—+ 85度
详细资料:低等效串联电阻 低等效串联电感 可承受非常高的du/dt 高性价比,广泛应用于变频器、SVG、混合动力车、逆变焊机、太阳能/风力发电变流器等行业.