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厂商：
HY51VS65163HGJ-6  4M x 16-Bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interface, 60ns
厂商： Hynix Semiconductor, Inc.查看供应商
HY51V17403HGJ-6  4,194,304 words x 4 bit EDO RAM, 3.3V, 60ns
厂商： Hynix Semiconductor, Inc.查看供应商
HY5116404CSLT-60  DRAM Chip: EDO: 2MByte: 5V Supply: Commercial: TSOP II: 26-Pin
厂商： Hynix Semiconductor, Inc.查看供应商
HY51VS17403HGLJ-5  4,194,304 words x 4 bit EDO RAM, 3.3V, 50ns, low power
厂商： Hynix Semiconductor, Inc.查看供应商
HY5116804CSLJ-7  DRAM Chip: EDO: 2MByte: 5V Supply: Commercial: SOJ: 28-Pin
厂商： Hynix Semiconductor, Inc.查看供应商
HY5116400CJ-60  DRAM Chip: FPM: 2MByte: 5V Supply: Commercial: SOJ: 26-Pin
厂商： Hynix Semiconductor, Inc.查看供应商
HY51V18163HGLJ-7  Dynamic RAM organized 1,048,576 words x 16-Bit, 70ns, low power
厂商： Hynix Semiconductor, Inc.查看供应商
HY51VS17403HGT-7  4,194,304 words x 4 bit EDO RAM, 3.3V, 70ns
厂商： Hynix Semiconductor, Inc.查看供应商
HY51VS18163HGLJ-5  Dynamic RAM organized 1,048,576 words x 16-Bit, self refresh, 50ns, low power
厂商： Hynix Semiconductor, Inc.查看供应商
HY5116804CSLT-7  DRAM Chip: EDO: 2MByte: 5V Supply: Commercial: TSOP II: 28-Pin
厂商： Hynix Semiconductor, Inc.查看供应商

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