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您现在的位置： 首页 > PDF > F110 共找到 319条符合 F110 的信息
厂商：
BF1101  N-Channel Dual-Gate MOS-FET
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BF1100T/R  Dual-gate MOS-FETs - CIS TYP: 2.2 pF; COS: 1.4 pF; ID: 30 mA; IDSS: 8 to 13 mA; IDSS min.: 1.4 mA; Noise figure: 2@800MHz dB; Note: Partly internal bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 1 V; VDSmax: 14 V; YFS min.: 24 mS
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BF1102R  Dual N-Channel Dual Gate MOS-FET
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BF1107W  N-Channel Single Gate MOS-FET
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BF1101R  N-Channel Dual-Gate MOS-FET
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BF1109WRT/R  N-channel dual-gate MOS-FETs - CIS TYP: 2.2 pF; COS: 1.3 pF; ID: 30 mA; IDSS: 8 to 16 mA; Noise figure: 1.5@800MHz dB; Note: Fully internal bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 1 V; VDSmax: 11 V; YFS min.: 24 mS
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BF1101WR  N-Channel Dual-Gate MOS-FET
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
EE24K-37F110-3V  Piezoceramic Buzzers
厂商： FDK Corporation查看供应商
BGF110  Flash Memory Interfaces; Package: S-WLP-24; Pitch: 400.0 um; GSM-Rejection: 10.0 dB; VBR (min): 14.0 V; Ct, Cl @ 0V: 13.5 pF; VESD(min)(IEC61000-4-2 contact): 15.0 kV;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BX80530F1100128  Intel Celeron Processor
厂商： Intel 查看供应商

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