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BSZ165N04NS G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TSDSON-8; Package: S3O8 (3x3mm style SuperSO8); VDS (max): 40.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 16.5 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): -; ID (max): 31.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BSZ100N03LS G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TSDSON-8; Package: S3O8 (3x3mm style SuperSO8); VDS (max): 30.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 10.0 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): 15.0 mOhm; ID (max): 40.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BSZ100N03MS G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TSDSON-8; Package: S3O8 (3x3mm style SuperSO8); VDS (max): 30.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 9.1 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): 11.4 mOhm; ID (max): 40.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BSZ042N04NS G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TSDSON-8; Package: S3O8 (3x3mm style SuperSO8); VDS (max): 40.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 4.2 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): -; ID (max): 40.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BSZ050N03MS G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TSDSON-8; Package: S3O8 (3x3mm style SuperSO8); VDS (max): 30.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 4.5 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): 5.7 mOhm; ID (max): 40.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BSZ105N04NS G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TSDSON-8; Package: S3O8 (3x3mm style SuperSO8); VDS (max): 40.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 10.5 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): -; ID (max): 40.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BSZ035N03LS G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TSDSON-8; Package: S3O8 (3x3mm style SuperSO8); VDS (max): 30.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 3.5 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): 5.7 mOhm; ID (max): 40.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BSZ035N03MS G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TSDSON-8; Package: S3O8 (3x3mm style SuperSO8); VDS (max): 30.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 3.5 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): 4.3 mOhm; ID (max): 40.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BSZ088N03LS G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TSDSON-8; Package: S3O8 (3x3mm style SuperSO8); VDS (max): 30.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 8.8 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): 11.0 mOhm; ID (max): 40.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BSZ088N03MS G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TSDSON-8; Package: S3O8 (3x3mm style SuperSO8); VDS (max): 30.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 8.0 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): 9.7 mOhm; ID (max): 40.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商

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