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厂商：
BF1105  N-Channel Dual-Gate MOS-FET
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BF1202  N-Channel Dual-Gate PoLo MOS-FET
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BF1206  N/A
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BF1108  Silicon RF switches - [S21(Off)]2 min: 30 ; [S21(On)]2 max: 3 ; ID: 10 mA; IGSS max: 100 nA; Mode: depl. ; RDS(on): 20 Ohm; S21(off): 30 dB; S21(on): 3 dB; VDSmax: 3 V; VSG max: 7 V
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BF1005SR  Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BF1005S  TRANS MOSFET N-CH 8V 0.025A 4SOT143
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BF1101  N-Channel Dual-Gate MOS-FET
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BF1205CT/R  Dual N-channel dual gate MOS-FET - CIS TYP: 2.22.0 pF; COS: 0.90.85 pF; ID: 30 mA; IDSS: 14 to 24 & 9 to 17 mA; Noise figure: 1.4@800MHz & 1.4@800MHz dB; Note: Two low noise gain amplifiers in one package ; -V(P)GS MAX: 1 V; VDSmax: 6 V; YFS min.: 2628 mS
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BF1100T/R  Dual-gate MOS-FETs - CIS TYP: 2.2 pF; COS: 1.4 pF; ID: 30 mA; IDSS: 8 to 13 mA; IDSS min.: 1.4 mA; Noise figure: 2@800MHz dB; Note: Partly internal bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 1 V; VDSmax: 14 V; YFS min.: 24 mS
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BF1009  Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
厂商： Infineon Technologies查看供应商

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