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您现在的位置： 首页 > PDF > 30N06 共找到 49条符合 30N06 的信息
厂商：
FQI30N06L  60V Logic N-Channel MOSFET(漏源电压为60V的逻辑N沟道增强型MOS场效应管)
厂商： FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]查看供应商
NTB30N06  Power MOSFET 30Amps, 60 Volts, N-Channel TO-220(30A, 60 V，N通道TO-220封装的功率MOSFET)
厂商： ONSEMI[ON Semiconductor] 查看供应商
NTP30N06  Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts N–Channel TO–220(30A, 60 V，N通道，TO-220封装的功率MOSFET)
厂商： ONSEMI[ON Semiconductor] 查看供应商
IPD30N06S2L-23  Single: N-Channel 55V MOSFETs; Package: PG-TO252-3; Technology: OptiMOS ; VDS (max): 55.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 23.0 mOhm; ID (max): 30.0 A; RthJC (max): 1.5 K/W;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
IPD30N06S3-24  Single: N-Channel 55V MOSFETs; Package: PG-TO252-3; Technology: OptiMOS -T; VDS (max): 55.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 24.0 mOhm; ID (max): 30.0 A; RthJC (max): 3.3 K/W;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
IPD30N06S2L-13  Single: N-Channel 55V MOSFETs; Package: PG-TO252-3; Technology: OptiMOS ; VDS (max): 55.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 13.0 mOhm; ID (max): 30.0 A; RthJC (max): 1.1 K/W;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
IPD30N06S3L-20  Single: N-Channel 55V MOSFETs; Package: PG-TO252-3; Technology: OptiMOS -T; VDS (max): 55.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 20.0 mOhm; ID (max): 30.0 A; RthJC (max): 3.3 K/W;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
IPD30N06S2-23  Single: N-Channel 55V MOSFETs; Package: PG-TO252-3; Technology: OptiMOS ; VDS (max): 55.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 23.0 mOhm; ID (max): 30.0 A; RthJC (max): 1.5 K/W;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
RF1S30N06LESM9A  30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFET
厂商： Fairchild Semiconductor查看供应商

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